非金属原子边缘修饰InSe纳米带的 磁电子学特性及应变调控

• 作者: 张振华 李野华 范志强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InSe 纳米带 非金属原子 磁电子学特性 应变效应
• 年，卷（期）: 2019,（19）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 287-296
• 页数: 10页
• 字数: 5599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20190547

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Se边用H饱和、In边用各种非金属元素X(X=H,B,N,P,F和Cl)端接的锯齿型InSe纳米带(H-ZN(7)-X)的几何结构、磁电子特性及应变效应.计算的形成能和Forcite退火模拟表明H-ZN(7)-X具有稳定的几何结构.F和Cl端接时,纳米带具有和H端接时类似的磁金属性质.N端接时,纳米带磁性最强.但B和P端接使得纳米带边缘的磁性完全消失.特别是,我们发现外加的机械应变可以增强H-ZN(7)-N磁稳定性,并且有效地调节费米能级处的自旋极化率(SP),能在0—92％ 之间变化,这意味着可设计机械开关来控制低偏压下的自旋输运.应变调制机制与应变诱导的键长变化导致不成对的电子的重新分布或消失有关.N-ZN(7)-N的磁性主要来源于In,Se及N原子的p轨道,这对于研发非过渡金属磁性材料有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李野华	柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室长沙理工大学物理与电子科学学院	1	0	0.0	0.0
2	范志强	柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室长沙理工大学物理与电子科学学院	1	0	0.0	0.0
3	张振华	柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室长沙理工大学物理与电子科学学院	1	0	0.0	0.0