p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结 太阳电池性能的影响机理研究

• 作者: 全知觉 潘洪英
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 数值模拟 InGaN 同质结 太阳电池
• 年，卷（期）: 2019,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 209-217
• 页数: 9页
• 字数: 4395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20191042

摘要

采用数值模拟的方法,研究了p层空穴浓度和厚度对不同铟组分InGaN p-i-n同质结太阳电池性能的影响规律及其内在机理.模拟计算的结果显示:随着p层空穴浓度和厚度的增加,太阳电池的转换效率均呈先增加、后略微下降的趋势;而且铟组分越高,p层空穴浓度和厚度的影响越大.为更好地理解这一规律,本文从太阳电池的收集效率、I-V特性、内建电场和载流子输运等方面分析,阐述了其背后的物理机理;研究结果对InGaN太阳电池的结构设计及实验制备有一定的理论指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	全知觉	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	5	10	3.0	3.0
2	潘洪英	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0