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摘要:
目的 改善CrC薄膜的制备工艺,提高薄膜的结合强度.方法 采用射频偏压辅助磁控溅射技术,以Cr和石墨为靶材,C2H2为反应气体,在M42高速钢表面制备梯度Cr/CrC膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、Raman光谱仪分析薄膜的微观形貌、成分组成、键结构,用纳米压痕仪、洛氏硬度计对薄膜的结合性能进行评价.结果 成功制备了表面致密均匀的梯度Cr/CrC薄膜,薄膜中sp3键含量随石墨靶射频功率的增加而呈现先增大后减小的趋势.薄膜的结合强度随射频功率的增大而先增大后减小,射频功率为250 W时,薄膜中含有最多的sp3键,并且有最高的硬度,硬度值为21 GPa.结论纯Cr过渡层能有效吸收薄膜中的内应力,改善膜/基结合性能,对Cr/CrC薄膜结合强度有明显增强作用.石墨靶的射频功率大小对梯度Cr/CrC膜的结构和结合强度有显著影响,射频功率为250 W时,制备出的薄膜具有最高的硬度和结合强度.
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文献信息
篇名 射频辅助磁控溅射制备梯度Cr/CrC膜的性能
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 射频辅助磁控溅射 梯度薄膜 射频功率 结合性能 过渡层
年,卷(期) 2019,(9) 所属期刊栏目 膜层材料与技术
研究方向 页码范围 287-292
页数 6页 分类号 TG174.442
字数 3388字 语种 中文
DOI 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.09.034
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘文军 3 2 1.0 1.0
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射频辅助磁控溅射
梯度薄膜
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表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
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