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硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法
硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法
作者:
吴佐飞
田雷
郭玉刚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
各向异性腐蚀
削角腐蚀
凸角补偿
过载保护
摘要:
针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验.通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构.该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计.
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篇名
硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法
来源期刊
传感器与微系统
学科
工学
关键词
各向异性腐蚀
削角腐蚀
凸角补偿
过载保护
年,卷(期)
2019,(3)
所属期刊栏目
研究与探讨
研究方向
页码范围
25-27
页数
3页
分类号
TP212
字数
1779字
语种
中文
DOI
10.13873/J.1000-9787(2019)03-0025-03
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
田雷
中国电子科技集团公司第四十九研究所
15
52
5.0
6.0
2
吴佐飞
中国电子科技集团公司第四十九研究所
7
13
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3
郭玉刚
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研究主题发展历程
节点文献
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削角腐蚀
凸角补偿
过载保护
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
传感器与微系统
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-9787
CN:
23-1537/TN
开本:
大16开
出版地:
哈尔滨市南岗区一曼街29号
邮发代号:
14-203
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
9750
总下载数(次)
43
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