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摘要:
针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验.通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构.该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计.
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文献信息
篇名 硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法
来源期刊 传感器与微系统 学科 工学
关键词 各向异性腐蚀 削角腐蚀 凸角补偿 过载保护
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 研究与探讨
研究方向 页码范围 25-27
页数 3页 分类号 TP212
字数 1779字 语种 中文
DOI 10.13873/J.1000-9787(2019)03-0025-03
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 田雷 中国电子科技集团公司第四十九研究所 15 52 5.0 6.0
2 吴佐飞 中国电子科技集团公司第四十九研究所 7 13 2.0 3.0
3 郭玉刚 1 0 0.0 0.0
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
各向异性腐蚀
削角腐蚀
凸角补偿
过载保护
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
传感器与微系统
月刊
1000-9787
23-1537/TN
大16开
哈尔滨市南岗区一曼街29号
14-203
1982
chi
出版文献量(篇)
9750
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