内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR设计

• 作者: 刘俊杰 刘志伟 李浩亮 杨波 陈磊
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: LVTSCR 静电放电 闩锁效应 维持电压 EP-LVTSCR 分流
• 年，卷（期）: 2019,（16）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 49-52,57
• 页数: 5页
• 分类号: TN432-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2019.16.012

摘要

LVTSCR器件结构相对于普通SCR具有低电压触发特性而被广泛用于集成电路的片上静电放电(ESD)防护中.但是在ESD事件来临时,其维持电压过低易发生闩锁(latch-up)效应致使器件无法正常关断.为改进LVTSCR这一缺陷,提出了一种内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR结构,即Embedded PMOS LVTSCR(EP-LVTSCR).该结构基于内嵌PMOS组成的分流通路抽取阱内载流子,抑制寄生晶体管PNP与NPN正反馈效应,来提高器件抗闩锁能力;通过Sentaurus TCAD仿真软件模拟0.18μm CMOS工艺,验证器件的电流电压(I-V)特性.实验结果表明,与传统LVTSCR相比较,EP-LVTSCR的维持电压从2.01 V提升至4.50 V,触发电压从8.54 V降低到7.87 V.该器件具有良好的电压钳位特性,适用于3.3 V电源电路芯片上静电防护应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨波	郑州大学信息工程学院	173	677	13.0	17.0
2	陈磊	郑州大学信息工程学院	71	341	11.0	15.0
3	李浩亮	郑州大学信息工程学院	31	33	3.0	4.0
4	刘志伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	29	3.0	5.0
5	刘俊杰	郑州大学信息工程学院	6	2	1.0	1.0