基于混合内存的存储系统优化方案

• 作者: 倪茂 曲良 李莹 郝晓冉 陈岚
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失存储器 混合内存 选择性分配 数据缓冲区
• 年，卷（期）: 2019,（21）
• 所属期刊栏目: 嵌入式技术
• 页码范围: 140-145
• 页数: 6页
• 分类号: TP368.1
• 字数: 3481字
• 语种: 中文

摘要

在传统终端存储架构中,DRAM内存普遍存在静态刷新功耗高、存储密度难以提升等问题;基于NAND flash的外存也因其与CPU之间巨大的性能差异而成为制约终端系统性能提升的重要瓶颈.新型非易失存储器(Non-volatile Memory,NVM)具有静态功耗低、读写速度与DRAM相近、可按字节访问、非易失等优势,为解决传统存储架构存在的问题提供了希望.本文面向嵌入式系统,提出了基于DRAM+NVM混合内存结构及其存储管理方案.采用目标程序在混合内存中进行选择性分配的方法,克服NVM写功耗高,写速度慢的不足,使具有不同读写特征的段分配到不同的存储器中,使内存系统功耗较传统DRAM内存平均降低45.2％;提出了非易失缓冲区,将外存中的常用数据存储在缓冲区中,使外存访问时间较无缓冲区的情况平均降低56.0％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈岚	中国科学院微电子研究所	86	361	10.0	14.0
5	李莹	中国科学院微电子研究所	41	285	11.0	15.0
9	郝晓冉	中国科学院微电子研究所	7	12	3.0	3.0
10	倪茂	中国科学院微电子研究所	3	0	0.0	0.0
11	曲良	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0