锗硅SiGe外延技术中提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性的方法

• 作者: 张旭升
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 28 nm CMOS 锗硅外延 西格玛沟槽刻蚀 TMAH,工艺稳定性
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.07.006

摘要

伴随着CMOS技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小,传统CMOS工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于PMOS驱动电流的要求.在关键尺寸进入28 nm及以下后,必须采用锗硅(SiGe)外延技术来加大PMOS的压应力,以此提高器件的整体响应速度.而在锗硅(SiGe)外延技术中,西格玛沟槽刻蚀是影响PMOS驱动电流的关键工艺步骤.西格玛沟槽刻蚀的关键尺寸的稳定性决定了器件性能的稳定性.西格玛沟槽刻蚀由一系列的干法刻蚀、湿法清洗、湿法刻蚀组成,其工艺的关键尺寸达到原子量级的卡控标准,但是干法刻蚀后的高分子副产物以及后续硅表面多种溶液的湿法处理,给整个西格玛沟槽刻蚀的关键尺寸的稳定性带来了诸多影响因子.基于干法/湿法刻蚀以及硅表面的清洗处理,提出锗硅(SiGe)外延技术中提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性的方法.

作者信息

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