一种低相位噪声压控振荡器的设计

• 作者: 丁庆 冯军正 吴光胜 王鑫 许奔
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 相位噪声 源极电容耦合 开关偏置
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 2803-2807
• 页数: 5页
• 分类号: TN752
• 字数: 2582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2019.11.039

摘要

设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声.芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V.测得的输出频率范围是2.435～2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许奔		1	0	0.0	0.0
2	丁庆		1	0	0.0	0.0
3	王鑫		1	0	0.0	0.0
4	冯军正		1	0	0.0	0.0
5	吴光胜		1	0	0.0	0.0