CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究

• 作者: 魏育才
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: CF4和O2等离子刻蚀 ICP刻蚀 氮化硅刻蚀 掩膜退缩 PA工艺
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.07.013

摘要

探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案.以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀.研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大.当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45° ～ 65°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏育才		2	0	0.0	0.0