离子注入温度对NPN晶体管的影响探究

• 作者: 刘春玲 沈今楷 王星杰
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 NPN 双极结型晶体管 电流增益 离子注入 靶盘温度
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.07.011

摘要

通过使用不同冷却系统的离子注入机台(昆腾和GSD200),调整靶盘的转速等实现离子注入温度的改变,研究NPN晶体管发射极离子注入温度对NPN晶体管的影响.实验结果表明离子注入温度越高,NPN晶体管的电流增益会随之降低.热波法检测结果显示离子注入温度越高,硅晶圆表面注入损伤越严重,注入损伤会使载流子迁移率下降,少子寿命降低,从而降低了双极晶体管发射极的注入效率,导致NPN双极结型晶体管的共射极的电流增益变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春玲		2	1	1.0	1.0
2	沈今楷		2	1	1.0	1.0
3	王星杰		2	1	1.0	1.0