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Ga1–xCrxSb(x=0.25,0.50,0.75)磁学和 光学性质的第一性原理研究
Ga1–xCrxSb(x=0.25,0.50,0.75)磁学和 光学性质的第一性原理研究
作者:
刘永
王闯
赵永红
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
第一性原理
Cr
离子注入
电子结构
光学性质
摘要:
随着高性能电子器件需求的日益增加,自旋电子学材料在材料研究和电子元件中具有重要地位,因为自旋电子学器件相比于传统半导体电子元件具有非易失性,低功耗和高集成度的优点.本文研究了Cr离子注入GaSb的电子性质、磁学和光学性质,采用基于密度泛函理论框架下的缀加投影平面波方法,利用广义梯度近似下电子交换关联泛函,考虑了Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06)杂化泛函计算进行电子能带带隙修正,首先对不同浓度Cr离子注入下的闪锌矿结构半导体GaSb形成的Ga1–xCrxSb(x=0.25,0.50,0.75)进行结构优化,计算了无磁、铁磁及反铁磁的基态能量,对比发现它们的基态均为铁磁态.对电子能带结构图分析发现,它们自旋向上的电子能带穿过费米面,而自旋向下的电子能带存在直接带隙,呈现铁磁半金属性质.同时在平衡晶格常数下具有整数倍玻尔磁矩,并在一定晶格变化范围内保持磁矩不变.同时发现它们在红外波段具有良好的吸收能力,这使得Ga1–xCrxSb在自旋电子学器件和红外光电器件中拥有潜在的应用前景.
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文献信息
篇名
Ga1–xCrxSb(x=0.25,0.50,0.75)磁学和 光学性质的第一性原理研究
来源期刊
物理学报
学科
关键词
第一性原理
Cr
离子注入
电子结构
光学性质
年,卷(期)
2019,(17)
所属期刊栏目
凝聚物质:结构、力学和热学性质
研究方向
页码范围
205-214
页数
10页
分类号
字数
5552字
语种
中文
DOI
10.7498/aps.68.20182305
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王闯
1
0
0.0
0.0
2
赵永红
四川师范大学物理与电子工程学院计算科学中心
1
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刘永
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传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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共引文献
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节点文献
引证文献
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(0)
2019(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
第一性原理
Cr
离子注入
电子结构
光学性质
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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