目的:探讨奥氮平联合重复经颅磁刺激(Repetitive Transcranial Magnetic Stimulation,rTMS)对精神分裂症患者事件相关电位(event related potentials ERP)中P300、MMN的影响。方法:选取我院初诊、初治的精神分裂症患者100例为研究对象,将研究对象随机分配为试验组(50例,奥氮平联合rTMS治疗组)及对照组(50例,仅接受奥氮平治疗组),在入组后受试前及试验组完成奥氮平联合rTMS治疗疗程后,所有研究对象分别进行ERP检测,通过对比奥氮平联合rTMS治疗前后P300、MMN潜伏期、波幅变化,探讨奥氮平联合rTMS治疗对精神分裂症患者事件相关电位的影响。结论:精神分裂症患者在接受奥氮平联合rTMS治疗后,事件相关电位P300、MMN潜伏期缩短、波幅增高,提示ERP能用作客观、可靠、准确地评定精神分裂症患者认知功能水平的一项指标。