AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结 散射机制的影响

• 作者: 李群 杨莺 陈谦
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InAlN/AlGaN/GaN异质结 合金无序散射 子带能级波动散射 导带波动散射
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 250-257
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20181663

摘要

InAlN/AlN/GaN异质结中,名义上的AlN插入层实为Ga含量很高的AlGaN层,Al,Ga摩尔百分比决定了电子波函数与隧穿几率,因此影响与InAlN/AlGaN势垒层有关的散射机制.本文通过求解薛定谔-泊松方程与输运方程,研究了AlGaN层Al摩尔百分含量对InAlN组分不均匀导致的子带能级波动散射、导带波动散射以及合金无序散射三种散射机制的影响.结果显示:当Al含量由0增大到1,子带能级波动散射强度与合金无序散射强度先增大后减小,导带波动散射强度单调减小;在Al含量为0.1附近的小组分范围内,合金无序散射是限制迁移率的主要散射机制,该组分范围之外,子带能级波动散射是限制迁移率的主要散射机制;当Al摩尔百分含量超过0.52,三种散射机制共同限制的迁移率超过无插入层结构的迁移率,AlGaN层显示出对迁移率的提升作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李群	西安理工大学自动化与信息工程学院	12	193	8.0	12.0
2	陈谦	西安理工大学自动化与信息工程学院	5	29	3.0	5.0
3	杨莺	西安理工大学自动化与信息工程学院	11	48	5.0	6.0