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摘要:
分析Submiron CMOS技术,使用双阱工艺,能够实现在高阻P型硅衬底上形成IC中各种元器件,并使之互连,实现所设计电路.采用芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片与制程结构.
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文献信息
篇名 亚微米CMOS芯片与制程剖面结构
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 集成电路制造 SubmironCMOS芯片 制程平面 剖面结构.
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 工艺与制造
研究方向 页码范围 30-34
页数 5页 分类号 TN405
字数 3313字 语种 中文
DOI 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.03.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘桂忠 19 50 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路制造
SubmironCMOS芯片
制程平面
剖面结构.
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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