两种双光束超分辨数据写入机理的比较

• 作者: 原续鹏 甘棕松 胡巧 郭新军 阮昊
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光数据存储 双光束超分辨数据写入技术 光激发-光抑制 受激辐射损耗 光致聚合
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 光数据存储
• 页码范围: 294-304
• 页数: 11页
• 分类号: TN249
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201939.0721001

摘要

比较了基于光激发-光抑制(SPIN)和受激辐射损耗(STED)的两种双光束超分辨数据写入技术的机理,为基于STED的超分辨数据写入技术建立了动态物理模型,研究其光致聚合过程中的工作机制,并模拟了基于SPIN和STED的双光束超分辨数据写入技术在记录点尺寸和分辨率方面的差异.结果 表明:基于STED的双光束超分辨数据写入技术具有无需抑制剂、原理简单的优势,但其需要第二束辅助光的强度较大且对聚合作用的抑制效率低,在多点写入情况下点的尺寸变大,记录均匀性变差.基于SPIN的双光束超分辨数据写入技术所需能量小,多点记录时引发剂分子消耗将抵消抑制剂分子消耗带来的影响,整体均匀性和稳定性好.因此基于SPIN的双光束超分辨数据写入技术在超高密度存储领域应用前景更好.