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摘要:
近年来,光纤通信技术的迅速发展使得超高速砷化镓集成电路的研究成为必然.用深亚微米工艺实现高速、高性能芯片设计的工艺也已成为国内外研究的热点.文章对各种工艺特点进行研究对比,以便尽可能发挥各种工艺的优点.得到关于具体芯片如何选择合适设计工艺的方案.
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文献信息
篇名 光纤通信芯片的工艺研究
来源期刊 无线互联科技 学科
关键词 互补金属氧化物半导体 砷化镓 芯片工艺 光纤通信
年,卷(期) 2019,(16) 所属期刊栏目 通信观察
研究方向 页码范围 5-6
页数 2页 分类号
字数 2986字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王佳尧 贵州大学明德学院 8 2 1.0 1.0
2 罗洪叶 贵州大学明德学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
互补金属氧化物半导体
砷化镓
芯片工艺
光纤通信
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无线互联科技
半月刊
1672-6944
32-1675/TN
16开
江苏省南京市
2004
chi
出版文献量(篇)
18145
总下载数(次)
78
总被引数(次)
27320
论文1v1指导