InGaZnO薄膜晶体管背板的栅极驱动电路静电释放失效研究

• 作者: 周刘飞 喻玥 张盛东 马国永 马群刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Cu互连 InGaZnO薄膜晶体管 阵列基板栅极驱动 静电释放
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 284-290
• 页数: 7页
• 字数: 3538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20190265

摘要

本文通过解析阵列基板栅极驱动(gate driver on array,GOA)电路中发生静电释放(electro-static discharge,ESD)的InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin-film transistor,IGZO TFT)器件发现:栅极Cu金属扩散进入了SiNx/SiO2栅极绝缘层;源漏极金属层成膜前就发生了ESD破坏;距离ESD破坏区域越近的IGZO TFT,电流开关比越小,直到源漏极与栅极完全短路.本文综合IGZO TFT器件工艺、GOA区与显示区金属密度比、栅极金属层与绝缘层厚度非均匀性分布等因素,采用ESD器件级分析与系统级分析相结合的方法,提出栅极Cu:SiNx/SiO2界面缺陷以及这三层薄膜的厚度非均匀分布是导致GOA电路中沟道宽长比大的IGZO TFT发生ESD失效的关键因素,并针对性地提出了改善方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张盛东	北京大学信息工程学院	13	47	4.0	6.0
5	周刘飞		3	11	2.0	3.0
6	马群刚	北京大学信息工程学院	2	1	1.0	1.0
10	喻玥		1	1	1.0	1.0
11	马国永		1	1	1.0	1.0