多孔硅的特性研究及一维多孔硅光子晶体的制备

• 作者: 赵杨
• 来源期刊: 大科技
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 电化学腐蚀 孔隙度 多孔层厚度 一维多孔硅光子晶体
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 研究园地
• 页码范围: 267-268
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 1852字
• 语种: 中文

摘要

本文主要对P型单晶硅片进行电化学刻蚀,通过改变电流密度和腐蚀时间来控制多孔硅的孔隙度及多孔层厚度.实验结果表明,随着腐蚀时间与电流密度的增加,多孔硅的孔隙度逐渐增大,多孔层厚度逐渐增加.采用电流-时间调制,制备出一维多孔硅光子晶体,通过扫描电子显微镜测试其形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杨	长春理工大学理学院	1	0	0.0	0.0