基于蒙特卡罗方法的4H-SiC(0001)面聚并台阶形貌演化机理

• 作者: 李源 石爱红 陈国玉 顾秉栋
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 碳化硅 聚并台阶 蒙特卡罗 晶体生长
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 262-269
• 页数: 8页
• 字数: 4327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20182067

摘要

针对SiC外延生长中微观原子动力学过程,建立了一个三维蒙特卡罗模型来研究偏向[1i00]或[11(2)0]方向4H-SiC(0001)邻晶面上台阶形貌演化过程,并且利用Burton-Cabera-Frank理论分析了其形成机理.在蒙特卡罗模型中,首先建立了一个计算4H-SiC晶体生长过程的品格网格,用来确定Si原子和C原子晶格坐标以及联系它们之间的化学键;其次,考虑了原子在台阶面上的吸附、扩散,原子在台阶边上的附着、分离以及传输等过程;最后,为了更加详细地捕捉微观原子在晶体表面的动力学过程信息,该模型把Si原子和C原子分别对待,同时还考虑了能量势垒对吸附原子影响.模拟结果表明:在偏向[1100]方向的4H-SiC(0001)邻晶面,有一个晶胞高度的聚并台阶形貌形成,而对于偏向[11(2)0]方向的邻晶面,出现了半个晶胞高度的聚并台阶形貌,该模拟结果与实验中观察到的结果相符合.最后,利用Burton-Cabera-Frank理论对聚并台阶形貌演化机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国玉	青海民族大学交通学院	14	7	2.0	2.0
2	顾秉栋	青海民族大学交通学院	8	3	1.0	1.0
3	李源	青海民族大学交通学院	8	1	1.0	1.0
4	石爱红	青海民族大学化学化工学院	3	0	0.0	0.0