忆阻器单阻态下的记忆电容行为及多态特性

• 作者: 刘汝新 肖夏 董瑞新 闫循领
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 记忆电阻 记忆电容 多态特征
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 232-238
• 页数: 7页
• 字数: 3778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20181836

摘要

采用供体-受体类型的共聚物构建了Al/共聚物/ITO结构的有机记忆器件,并对其电流-电压(L叻和电容-电压(C-V)特性进行了研究.结果表明:器件不仅表现出明显的记忆电阻特征,而且在单个电阻状态下还存在记忆电容行为,使器件呈现出两种电阻状态和与之对应的四种电容状态,具有电阻和电容的双参量记忆能力.在此基础上对器件的电容开关行为进行了电压幅值的调制,使器件出现了更多的电容状态,为多级存储的实现提供了一条有效途径.最后通过引入分子内部极化算符,建立了记忆电阻和记忆电容的关联性,给出了描述器件双参量多状态特征的矩阵模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董瑞新	聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室	27	177	7.0	13.0
2	闫循领	聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室	25	209	8.0	14.0
3	刘汝新	聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	肖夏	聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室	1	0	0.0	0.0