免掺杂、非对称异质接触晶体硅太阳电池的研究进展

• 作者: 侯国付 张力 张晓丹 徐玉增 赵生盛 赵颖 陈俊帆
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 免掺杂、非对称异质接触 空穴传输 电子传输 过渡金属氧化物
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 298-308
• 页数: 11页
• 字数: 6511字
• 语种: 中文

摘要

免掺杂、非对称异质接触的新型太阳电池由于近几年的飞速发展,理论转化效率已达到28％,具有较大的发展空间,引起了人们的重视.由于传统晶硅太阳电池产业存在生产设备成本高、原材料易燃易爆等诸多限制,市场对太阳电池产业低成本、绿色无污染的期待越来越高,极大地增加了免掺杂、非对称异质接触的新型太阳电池研究和开发的必要性.为了进一步加快免掺杂、非对称异质接触晶体硅太阳电池的研究进度,本文对其发展现状进行了综述,着重讨论了过渡金属氧化物(TMO)载流子选择性运输的基本原理、制备技术以及空穴传输层、电子传输层和钝化层对基于TMO构建的免掺杂、非对称异质接触(DASH)太阳电池性能的影响,以期对电池的工作机理、材料选择有更深刻的认识,为新型高效的DASH太阳电池制备提供指导.