InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型

• 作者: 何伊妮 廖聪维 罗衡 邓小庆 邓联文 黄生祥
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaZnO 泄漏电流 thin-film transistor 器件模型
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 213-219
• 页数: 7页
• 字数: 3934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20182088

摘要

研究了非晶氧化锌镓铟薄膜晶体管(amorphous InGaZnO thin-film transistor, InGaZnO TFT)的泄漏电流模型. 基于Poole-Frenkel热发射效应和热离子场致发射效应的泄漏电流产生机制, 分别得到了高电场和低电场条件下的载流子产生-复合率. 在此基础上推导得到了InGaZnO TFT的分段式泄漏电流-电压数学模型,并利用平滑函数得到了关断区和亚阈区连续统一的泄漏电流模型. 所提出的泄漏电流模型的计算值和TCAD模拟值与实验结果较为吻合. 利用所提出的InGaZnO TFT泄漏电流模型和TCAD模拟, 讨论了InGaZnO TFT不同的沟道宽度、沟道长度和栅介质层厚度对泄漏电流值的影响. 研究结果对InGaZnO TFT集成传感电路的设计具有一定参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄生祥	中南大学物理与电子学院	34	139	7.0	10.0
2	邓联文	中南大学物理与电子学院	60	206	7.0	8.0
4	廖聪维	中南大学物理与电子学院	11	17	2.0	4.0
5	罗衡	中南大学物理与电子学院	17	27	3.0	4.0
7	何伊妮	中南大学物理与电子学院	3	0	0.0	0.0
8	邓小庆	中南大学物理与电子学院	1	0	0.0	0.0