55nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X寸线电离总剂量效应研究

• 作者: 习凯 刘明 徐彦楠 曹杨 李博 李梅 毕津顺
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 闪存 电荷俘获 电离总剂量 剂量增强
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 266-273
• 页数: 8页
• 字数: 3592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20181661

摘要

基于60Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特性退化的规律与物理机制.总剂量辐照引起闪存单元I-V特性曲线漂移、存储窗口变小和静态电流增大等电学特性的退化现象,并对其数据保持能力产生影响.编程态闪存单元的Id-Vg曲线在辐照后显著负向漂移,而擦除态负向漂移幅度较小.对比两种射线辐照,擦除态的Id-Vg曲线漂移方向不同.相比于擦除态,富含存储电子的编程态对总剂量辐照更为敏感;且相比于60Co-γ射线,本文观测到了显著的X射线剂量增强效应.利用TCAD和Geant 4工具,从能带理论详细讨论了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元电离总剂量效应和损伤的物理机制,并模拟和深入分析了X射线的剂量增强效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0
2	李梅	中国科学院微电子研究所	84	918	16.0	26.0
3	毕津顺		37	78	5.0	6.0
7	李博	中国科学院微电子研究所	128	1216	17.0	31.0
8	曹杨		5	18	3.0	4.0
9	习凯	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
10	徐彦楠		1	0	0.0	0.0