晶圆背面硅腐蚀研究

• 作者: 李方华
• 来源期刊: 工程技术研究
• 学科: 工学
• 关键词: 减薄 背面硅腐蚀 清洗 金属剥落
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 工程设备与材料
• 页码范围: 110-111
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 2471字
• 语种: 中文

摘要

随着半导体技术的进步,晶圆的特征尺寸不断缩小,集成度大幅提高.硅晶圆正面制作完成集成电路后,进行背面减薄,使其达到所需要的厚度,可以降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装,而功率器件芯片,更是需要在晶圆减薄后,进行背面金属沉积,以此作为电极,从而在封装的时候,可以从背面金属上接出引线.硅晶圆在背面研磨减薄后,表面会受到损伤,硅片应力极大,使得翘曲度也极大,容易碎片,因此需要进行背面硅腐蚀,去除损伤层,释放应力.硅腐蚀对背面金属的粘附性存在很大的影响,文章主要研究不同的硅腐蚀液及酸槽条件对背面金属粘附性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李方华		2	0	0.0	0.0