As(Ⅲ)和As(Ⅴ)在香菇栽培基质和子实体中的迁移规律

• 作者: 唐庆强 夏林兵 张凤珍 曹晓钢 王丹红 罗顺玉 陈锦丽
• 来源期刊: 食品科学
• 学科: 工学
• 关键词: 香菇 砷 形态分析 迁移规律
• 年，卷（期）: 2019,（21）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 94-99
• 页数: 6页
• 分类号: TS207.3
• 字数: 5276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7506/spkx1002-6630-20180903-030

摘要

在两个生长年份里向香菇培养料中添加不同含量的亚砷酸盐(As(Ⅲ))和砷酸盐(As(Ⅴ))标准溶液,利用高效液相色谱联用电感耦合等离子体质谱法检测香菇及其培养料中5种形态砷含量,研究香菇子实体对培养料中高毒无机砷的迁移规律.结果表明,香菇子实体对添加0.3～10 mg/kg As(Ⅲ)和As(Ⅴ)培养料中As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的富集系数范围分别为0.36～0.84和0.82～7.53;添加0.33～0.38 mg/kg As(Ⅲ)和As(Ⅴ)培养料中As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的迁移规律方程分别为y=-1.1389x2+0.9216x-0.004和y=-9.0243x2-4.3881x+0.8387(x、y分别为培养料和香菇子实体中的As(Ⅲ)或As(Ⅴ)含量).培养料中As(Ⅲ)和As(Ⅴ)含量的增加会导致香菇子实体的减产甚至绝收,其临界值为0.33 mg/kg.培养料中的As(Ⅲ)含量随着栽培时间的延长逐渐减少,而As(Ⅴ)含量则略有增加,香菇子实体中的有机砷含量也会随着As(Ⅲ)和As(Ⅴ)添加量的增加而提高,这可能和As(Ⅲ)在香菇生长时转化为As(Ⅴ)或有机砷有关.