GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响

• 作者: 刘大为 孟锡俊 李建婷
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 电子溢出 EBL层 电子限制能力 能带弯曲 Al组分渐变
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 45-46,7
• 页数: 3页
• 字数: 2527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8519.2019.12.018

摘要

根据量子限域电子溢出理论及极化场引起的能带弯曲理论,我们采用不同工艺的EBL层结构,通过控制Al组分分布,在不影响P-GaN层空穴的注入的情况下,提升电子限制能力,提升芯片的发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建婷		4	6	1.0	2.0
2	孟锡俊		4	2	1.0	1.0
3	刘大为		1	0	0.0	0.0