一种低插入损耗高隔离度射频开关的设计

• 作者: 吴兰 张晓朋 谷江 高博
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频开关 绝缘体上硅(SOI) 隔离度 插入损耗 低功耗
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 505-511
• 页数: 7页
• 分类号: TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.07.003

摘要

基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计并制作了一款50 nΩ吸收式单刀双掷射频开关.开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz～8 GHz频率内具备优异的隔离度及插入损耗性能.采用两级开关结构用于提高隔离度,并通过将电源管理电路的晶体管偏置在亚阈值区域以达到超低的功耗.测试结果表明,在6 GHz频点的插入损耗为0.55 dB,隔离度为53 dB,反射系数为-15 dB,0.1 dB压缩点的输入功率为33 dBm,而功耗不足300 μW.该RF开关电路非常适用于4G/5G无线基础设施、卫星通信终端设备以及其他高性能射频应用系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高博		7	1	1.0	1.0
3	张晓朋		8	1	1.0	1.0
7	吴兰		3	1	1.0	1.0
10	谷江		4	6	1.0	2.0