一种限域生长有机半导体晶体的方法

• 作者: 于亚民 张茜
• 来源期刊: 纳米技术
• 学科: 工学
• 关键词: 有机半导体晶体 晶核 场效应晶体管
• 年，卷（期）: nmjs_2020,（1）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN3

摘要

通过预先采用真空蒸镀法在特定位置植入晶核,可以调控有机半导体晶体在后续物理气相传输过程中在特定位置生长。通过热处理和溶剂涮洗可以有效降低晶核的密度,从而实现了大面积有机半导体晶体阵列的制备。基于所得到的有机半导体晶体,用转移金膜的方法制备了底栅顶接触的有机场效应晶体管,器件的迁移率为1.48 cm2 V?1s?1。