新型低功耗金属氧化物TFT集成行驱动电路

• 作者: 吴为敬 周雷 彭俊彪 徐苗 林奕圳 王磊 胡宇峰 邹建华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: In-Zn-O薄膜晶体管 行驱动电路 新型耦合电路结构
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 103-109
• 页数: 7页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 3596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20204101.0103

摘要

金属氧化物薄膜晶体管(TFT)属于耗尽型器件,其集成的TFT的行驱动电路一般采用双负电源方案,存在与外围驱动芯片的匹配困难和功耗较大的不足.本文设计了一种新型耦合电路结构,可以产生比负电源更低的电压从而完全关闭输出模块的下拉晶体管,防止氧化物TFT耗尽模式引起的电流泄露问题,并由此设计了新型氧化物TFT行驱动电路拓扑.由于只采用一个负电源,其电源电压范围比采用双负电源方案的小,从而节省了功耗且有利于与外围驱动芯片的匹配连接.实验结果表明,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,在电阻负载RL=3 kΩ和容性负载CL=30 pF下,所设计的行驱动电路在33.3 kHz时钟频率下实现脉宽10μs的全摆幅输出,每级功耗仅为160μW.基于新型耦合电路结构的行驱动电路能够满足60 Hz的刷新频率的1980×1080分辨率的显示需求.