硅基锗硅驰豫衬底的外延生长

• 作者: 刘翠青 李云 邱胜桦 陈城钊
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 硅基锗硅薄膜 驰豫衬底 外延生长
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文

摘要

应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用 X 射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力显微镜和化学腐蚀位错坑等方法,对薄膜进行分析检测.结果表明,在 300 oc 低温时 Ge 量子点缓冲层上生长的 SiGe外延层厚度仅为 380 nm,弛豫度已达 99％,位错密度低于 1 ×105 cm-2,表面无Cross-hatch形貌,表面且粗糙度小于 2 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李云	韩山师范学院物理与电子工程学院	42	232	8.0	13.0
2	邱胜桦	韩山师范学院物理与电子工程学院	13	50	4.0	6.0
3	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程学院	23	86	5.0	8.0
4	刘翠青	韩山师范学院物理与电子工程学院	26	67	5.0	7.0