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摘要:
片上系统SoC (System on a Chip)的快速发展,对低压差线性稳压器LDO (Low Dropout Linear Regu-lator)芯片的性能要求更加苛刻。更低静态功耗、更少外围器件以及更高转换效率和电源抑制比、更快响应速度已经成为LDO芯片的研究热点和发展趋势。提出了一种带有摆率增强电路的快速负载瞬态响应无片外大电容LDO,用摆率增强技术及动态偏置技术来优化LDO的摆率,在负载发生跳变时能够快速响应。
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一种提高大电流LDO瞬态响应的技术
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双反馈环路
内容分析
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文献信息
篇名 带摆率增强电路的快速负载瞬态响应LDO研究
来源期刊 电路与系统 学科 工学
关键词 片上系统 低压差线性稳压器 摆率增强 快速负载瞬态响应
年,卷(期) 2020,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 18-27
页数 10页 分类号 TM4
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨金亮 7 0 0.0 0.0
2 李天生 华为技术有限公司成都研究所 1 0 0.0 0.0
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2020(0)
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研究主题发展历程
节点文献
片上系统
低压差线性稳压器
摆率增强
快速负载瞬态响应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电路与系统
季刊
2327-0853
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
91
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