基于55nm CMOS工艺的可变增益放大器

• 作者: 佟玲 刘亚轩 安文星 张娜
• 来源期刊: 湖南大学学报（自认科学版）
• 关键词: 放大器 互补金属氧化物半导体 宽带 增益控制
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 电气与信息工程
• 页码范围: 103-108
• 页数: 6页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2020.06.013

摘要

为了实现5G通信系统中高数据传输速率的要求,满足宽带条件下接收信号幅度的大动态范围变化,基于Global Foundries 55 nm CMOS工艺提出一种宽带且增益大范围线性变化的可变增益放大器.在该可变增益放大器中,采用改进型Cherry-Hooper放大器结构使其动态范围和电路带宽有效扩展,并利用晶体管的可调谐特性,在不使用附加电路的前提下使增益变化具有良好线性,解决了CMOS电路中放大器增益与控制电压非线性变化的难题,同时添加低截止频率的高通滤波器,消除可变增益放大器的直流偏移,并降低其误码率.版图仿真结果表明,在-33.4～46.9 dB的超宽动态范围内实现增益线性变化,3-dB带宽对应的频率达到1.89 GHz(0.000 12～1.9 GHz),可变增益放大器芯片(核心区域,不含焊盘)面积仅为0.006 mm2.该可变增益放大器指标完全满足目前5G宽带通信系统的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佟玲	天津大学微电子学院	3	13	2.0	3.0
2	张娜	中国海洋大学信息科学与工程学院	21	66	5.0	8.0
3	安文星	天津大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
4	刘亚轩	天津大学微电子学院	1	0	0.0	0.0