双色光发射电子显微镜成像金纳米环等离激元场分布

• 作者: 季博宇 宋晓伟 林景全 蔡森清
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 等离激元 光发射电子显微镜 金纳米环 双色量子通道
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 38-46
• 页数: 9页
• 分类号: TN1

摘要

本文利用双色–光发射电子显微镜(Photoemission Electron Microscopy, PEEM)成像了电子束加工的金纳米环样品的等离激元近场分布。利用双色的实验方法有效地打开了双色量子通道,从而导致发射电子的非线性阶次从3.80降低到1.85,并且光辐射电子的产额显著增加。通过近场PEEM图像表明,由于存在缺陷激发的强烈干扰,掩盖了结构的场分布信息。进一步分析缺陷位置处电子非线性阶次,发现纳米环缺陷位置处电子的非线性阶次下降程度显著低于非缺陷处。双色PEEM成像的技术对于等离激元近场成像等相关研究的发展起到推动作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林景全	长春理工大学超快光学实验室	47	295	8.0	16.0
2	季博宇	长春理工大学超快光学实验室	5	3	1.0	1.0
3	宋晓伟	长春理工大学超快光学实验室	11	59	3.0	7.0
4	蔡森清	长春理工大学超快光学实验室	1	0	0.0	0.0