n-p共掺杂材料体系自旋电子学性质研究进展

• 作者: 高瑞灵 常茂枝 齐世飞
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: n-p共掺 稀磁半导体 石墨烯 拓扑绝缘体
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 1-16
• 页数: 16页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13380/j.ltpl.2020.01.001

摘要

掺杂在调控材料体系的物理化学性质方面起着重要的作用.n-p共掺杂方法借助n型和p型掺杂物间强的静电相互作用,能够解决一些材料体系研究中存在的关键性问题,进而有效的改进这些体系的某方面特殊性质.本文中,将首先介绍n-p共掺杂方法;然后,分别从非补偿性n-p共掺杂和补偿性n-p共掺杂出发,对近些年来,明确利用n-p共掺杂方法,在稀磁半导体、石墨烯以及拓扑绝缘体等不同材料体系自旋电子学性质的相关研究进行详细介绍,并对n-p共掺杂方法在未来研究中的可能应用进行展望.