多空位缺陷对石墨烯/H-BN超晶格纳米结构力学性能的影响

• 作者: 姚文娟 樊磊
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯/六方氮化硼 分子动力学 离子辐照 超晶格纳米结构中的纳米孔 力学性能
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 165-175
• 页数: 11页
• 分类号: TB33
• 语种: 中文
• DOI: 10.1016/S1872-5805(20)60482-6

摘要

本文研究了不同周期长度的G/H-BN超晶格纳米带在不同缺陷下的力学性能.在G/H-BN超晶格纳米结构中,通过离子辐照产生了菱形和方形两种缺陷.研究和讨论了纳米孔面积(菱形和方形)、周期长度Lp、空位缺陷数以及不同位置空位缺陷对G/H-BN超晶格纳米带力学性能的影响.结果 表明,G/H-BN超晶格纳米结构的破坏强度和应变对缺陷和纳米孔更为敏感.然而,其杨氏模量没有类似的趋势.此外,在G/H-BN超晶格纳米结构中,具有几何缺陷的氮化硼区域的力学性能小于具有几何纳米孔的石墨烯部分.显然,如果超晶格结构产生一系列纳米孔,这些纳米孔应该在石墨烯部分,而不是尽可能多地在氮化硼区域.最终,随着缺陷密度的增加,G/H-BN超晶格纳米结构具有更强的韧性.同时,对纳米孔存在时超品格纳米结构的力学性能、量子化能带结构与光电性能的关系提供了指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚文娟	上海大学上海市应用数学和力学研究所	97	655	16.0	21.0
2	樊磊	上海大学土木工程系	4	7	1.0	2.0