采用低剂量H+注入技术制备绝缘体上锗材料

• 作者: 刘运启 张波 薛忠营
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上锗(GOI) Ge/Si0.7Ge0.3/Ge 低剂量 H+吸附 剥离
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 530-535
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.07.007

摘要

利用离子剥离技术在Ge晶圆上制备绝缘体上锗(GOI)时,高剂量H+注入会导致Ge晶格损伤,而且剥离后Ge表面粗糙度较大.为了解决以上问题,在Si衬底上外延Ge/Si0.7Ge0.3/Ge异质结构代替纯Ge制备GOI,研究了异质结构样品有效剥离的临界H+注入条件和相应的GOI表面粗糙度.使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)对样品在H+注入和剥离后的裂缝形成过程、表面形貌、界面晶格损伤等进行观察和表征.实验结果表明,由于超薄Si0.7Ge0.3层对注入H+的吸附作用,剥离临界H+注入剂量由5.0×1016 cm-2下降到3.5×1016 cm-2,且在降低注入成本的同时也有效减少了H+注入对Ge晶格的损伤;由于剥离只发生在超薄Si0.7Ge0.3层,GOI表面粗糙度降低到1.42 nm(10μm×10 μm).该方法为制备高质量GOI材料提供了一种新思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	209	2133	20.0	38.0
2	刘运启	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	薛忠营	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	5	13	2.0	3.0