GaN HEMT预充电式驱动电路设计

• 作者: 刘晓明 李龙女 段尧文 董晨名 高圣伟
• 来源期刊: 天津工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaNHEMT 驱动电路 预充电 箝位
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 电子信息与自动化
• 页码范围: 69-76
• 页数: 8页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-024x.2020.01.012

摘要

由于传统驱动电路难以发挥新型器件GaN HEMT的高频优势,为了提高电路工作频率,充分利用GaN HEMT特性,设计了一种适用于该器件的驱动电路.经过对比分析GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的寄生参数和工作特性,得出GaN HEMT的特点和对驱动电路的要求;采用LTspice软件仿真,描述该驱动电路低损耗和快速性特征,实现高/低电平箝位功能;通过搭建Boost电路,实验验证预充电式驱动电路的有效性.结果表明:在频率500 kHz、输出电压75 V的工作条件下,该驱动电路与谐振式驱动电路相比损耗下降45.8％,可实现GaN HEMT器件在9 ns内开通、15 ns内关断,比独立拉灌式驱动条件下的开关速度分别提高11 ns和24 ns,更能发挥GaN HEMT高频特性,同时该电路还具有高/低电平箝位功能,提高了电路工作可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高圣伟	天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室	23	52	5.0	6.0
7	刘晓明	天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室	29	37	3.0	5.0
8	李龙女	天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室	12	6	2.0	2.0
12	段尧文	天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
13	董晨名		2	0	0.0	0.0