NLDMOS器件性能优化及分析

• 作者: 孟丽华 李洋 李维杰 王云峰 王兴
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: NLDMOS 击穿电压 比导通电阻 离子注入 快速热退火
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 99-102,140
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.021

摘要

提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法.该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程,通过在NLDMOS的共源处增加一道离子注入,引出衬底电荷,以优化NLDMOS器件的击穿电压(Vb)与比导通电阻(Rsp).选择不同的注入离子浓度与快速热退火时间,研究了器件的Vb与Rsp变化.由于离子激活效率不足,单纯增加20％的注入离子浓度,器件的耐压性能提升极小,采用增加20％注入离子浓度结合延长20 s快速热退火时间的方法,NLDMOS器件的Vb提高约2.7％,同时Rsp仅增加0.9％左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王云峰	中国科学院大学微电子学院	56	597	13.0	22.0
2	李维杰	中国科学院大学微电子学院	4	17	2.0	4.0
3	王兴		1	0	0.0	0.0
4	李洋		1	0	0.0	0.0
5	孟丽华		1	0	0.0	0.0