三维集成电路中硅通孔电阻参数计算解析式提取的研究

• 作者: 鞠艳杰
• 来源期刊: 电路与系统
• 学科: 工学
• 关键词: TSV 3D IC 参数提取
• 年，卷（期）: dlyxt_2020,（3）
• 页码范围: 55-60
• 页数: 6页
• 分类号: TP3

摘要

硅通孔技术是三维集成电路实现层间垂直互连的关键,使三维集成电路具有连线短、尺寸小、功耗低、可异构等优点。作为三维集成电路中互连的硅通孔,其寄生参数的提取将直接影响到集成电路功耗,时延,噪声等方面的性能,因此硅通孔寄生参数提取对高性能芯片的成功设计具有十分重要意义。本文以高面率比圆柱硅通孔为研究对象,通过对不同尺寸参数下的圆柱硅通孔进行仿真,得到其电阻参数值,使用电磁场理论、曲线拟合方法,推导出高精度的电阻参数提取解析式。解析式可快速准确计算硅通孔的电阻参数值,大大提高了参数提取效率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鞠艳杰	大连交通大学电气信息工程学院	14	10	2.0	2.0