X射线辐照圆柱腔体SGEMP电子发射参数的计算

• 作者: 牛胜利 陈剑楠 陶应龙
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 系统电磁脉冲 电子发射参数 Monte Carlo方法 宏粒子
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 电磁场与电磁波
• 页码范围: 58-66
• 页数: 9页
• 分类号: O434.14
• 字数: 5333字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2020.010501

摘要

用MCNP程序对X射线辐照圆柱腔端面和侧面激励光电子发射的过程进行模拟,计算得到了出射电子的能谱、θ角分布及产额等发射参数随X射线入射状态的变化规律,并给出了处理曲面发射问题的蒙特卡罗(MC)统计方法,拟合得到了能谱参数E1随黑体温度和入射角变化的经验公式.利用MC抽样方法给出了将电子发射参数与3维全电磁PIC程序结合的宏粒子构建方式,并完成了X射线辐照圆柱腔体侧面激励的系统电磁脉冲场环境的模拟计算.结果 表明,在模型边、角等几何变化处容易出现电场强度、磁场强度的极大值,需要对这些部位进行有效的抗系统电磁脉冲加固.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛胜利		41	163	5.0	11.0
2	陶应龙		13	26	3.0	3.0
3	陈剑楠		4	4	1.0	2.0