Ce掺杂Cu2O(Ce/Cu2O)薄膜的制备及其光电性能

• 作者: 丁红 伍泳斌 莫德清 赵英杰 钟福新
• 来源期刊: 稀土
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积法 氧化亚铜(Cu2O) Ce掺杂 光电性能
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 56-64
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.2+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.202001007

摘要

用NaAc与Cu(Ac)2为反应体系,采用电沉积法,在ITO上制备了Ce掺杂的Cu2O (Ce/Cu2O)薄膜.探讨了Cu(Ac)2浓度、沉积温度、沉积时间、沉积电压和溶液pH等制备条件对Cu2O样品光电性能的影响及Ce掺杂量对Cu2O薄膜光电性能的影响.结果 表明,当反应液中含0.04 moL/L Cu (Ac)2、0.02 moL/L NaAc、0.0064 mmol/L CTAB、0.008 mol/L Ce(NO3)3、溶液pH为5.5、沉积温度为50℃时,在1.4V电压下沉积40 min,即可制备形貌较好、光电压达0.3239 V的Ce/Cu2O薄膜,Ce的掺杂有着比单纯Cu2O薄膜更高的光电性能.UV-vis、XRD、SEM和EDS等表征结果显示,Ce的掺杂使得Cu2O薄膜紫外吸收峰发生蓝移、抑制了Cu2O微晶的生长、使薄膜的形貌变为叶脉较宽的星型枝叶状,样品中Ce元素质量分数和原子分数分别为22.63％和8.78％.