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摘要:
激光等离子体EUV光源对于集成电路纳米尺度器件的制造具有重要意义。激光等离子体EUV光谱的优化是EUV光源广泛使用的前提,所以本文通过增大入射激光能量,改变光斑大小和脉冲数方法优化Sn靶EUV光谱。结果表明,Sn靶EUV光谱强度随着入射激光能量的增加而增加。通过改变透镜位置,使得光谱增强到1.27倍。此外,利用碰撞–辐射模型(CR模型)建立Sn离子分布与电子温度的对应关系。
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文献信息
篇名 激光锡等离子体极紫外光谱的优化研究
来源期刊 应用物理 学科 工学
关键词 极紫外光刻 光源 激光等离子体 光谱 锡靶
年,卷(期) 2020,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 69-75
页数 7页 分类号 TN3
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林景全 长春理工大学超快光学实验室 47 295 8.0 16.0
2 窦银萍 长春理工大学超快光学实验室 7 26 2.0 5.0
3 宋晓伟 长春理工大学超快光学实验室 11 59 3.0 7.0
4 王海建 长春理工大学超快光学实验室 1 0 0.0 0.0
5 李镇广 长春理工大学超快光学实验室 1 0 0.0 0.0
6 谢卓 长春理工大学超快光学实验室 4 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
极紫外光刻
光源
激光等离子体
光谱
锡靶
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
应用物理
月刊
2160-7567
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
428
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