InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响

• 作者: 刘万清 刘尚军 吴唯 周勇 张靖
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InAs量子点 量子点低温盖层 光致荧光谱 时间分辨谱 速率调制外延
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN248
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.019

摘要

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质.对比了常规方法和速率调制外延(FME)法生长GaAs低温盖层的量子点质量,结果表明,FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6 ns,明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周勇		14	49	4.0	6.0
2	张靖		12	84	5.0	8.0
3	刘万清		4	21	2.0	4.0
4	刘尚军		3	4	1.0	2.0
5	吴唯		1	0	0.0	0.0