VDMOS电离辐射效应快速评估方法

• 作者: 卢健 崔帅 李彩 王义元 陈斌
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压VDMOS 电离辐射效应 评估方法 高温辐照
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 核物理、交叉学科研究
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: TL99
• 字数: 3000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.050503

摘要

高压垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused MOSFET,VDMOS)是空间广泛应用的半导体器件,由于空间环境存在电离辐射,需要开展其抗辐射能力的评估.通常采用国军标规定的常温辐照至考核剂量,再追加50％辐照剂量和168 h的高温退火评估方法,实验周期较长.为缩短实验周期,开展了VDMOS电离辐射效应快速评估方法研究,通过国军标实验方法与高温100°C辐照结果对比发现,在较大的剂量范围内,高温辐照可以缩短测试评估时间,并较好地评估高压VDMOS器件的抗辐射能力.通过典型数字电路在高温100°C下辐照与国军标方法对比,证明了高温辐照方法具有国军标方法的等效性,且可以节省168 h的退火时间,极大的缩短了评估周期.本方法可用于高压VDMOS器件的抗电离辐射能力的快速评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李彩	中国科学院微小卫星创新研究院	16	173	6.0	13.0
2	陈斌	中国科学院微小卫星创新研究院	105	1004	16.0	28.0
3	卢健	中国科学院微小卫星创新研究院	10	44	4.0	6.0
4	王义元		6	13	2.0	3.0
5	崔帅	中国科学院微小卫星创新研究院	14	39	4.0	6.0