温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析

• 作者: 刘强 孙晓冰 张云琦 张景波 殷景志 王思文 邢春香
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InAsSb 俄歇复合寿命 As组分 温度 载流子浓度
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 80-84
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 3035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.017

摘要

工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、军事和通信等领域,锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测器的理想材料.俄歇复合寿命是影响探测器性能的重要因素之一,文章采用Matlab软件模拟研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇复合寿命随温度、As组分及载流子浓度的变化.对确定的As组分,可通过优化工作温度及载流子浓度获得较长的俄歇复合寿命.当载流子浓度为3.2×1015 cm-3、温度为200 K时,n型InAs0.35 Sb0.65的俄歇复合寿命最大为2.91×10-9 s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘强	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室	36	301	8.0	17.0
2	殷景志	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室	15	62	4.0	7.0
3	邢春香	长春理工大学光电信息学院	10	10	1.0	2.0
4	孙晓冰	长春理工大学光电信息学院	20	34	4.0	4.0
5	张云琦	长春理工大学光电信息学院	21	45	5.0	6.0
6	张景波	长春理工大学光电信息学院	13	9	2.0	3.0
7	王思文	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室	1	0	0.0	0.0