650V eGaN HEMT短路特性研究

• 作者: 修强 张英 彭子和 秦海鸿 荀倩
• 来源期刊: 电工电能新技术
• 学科: 工学
• 关键词: 增强型GaNHEMT 短路特性 短路保护 温度依赖性
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 论文报告
• 页码范围: 10-20
• 页数: 11页
• 分类号: TM464
• 字数: 8000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12067/ATEEE1811055

摘要

增强型GaN HEMT(eGaN HEMT)可以大幅提升变换器的效率和功率密度,具有广泛的应用前景.但实际应用中由桥臂串扰引起的误导通,以及负载侧短路等都会导致eGaN HEMT流过较大的电流.因此,为了确保eGaN HEMT在过载、短路等工况下安全可靠工作,必须深入探究eGaN HEMT的短路工作原理以及电路参数对其短路特性的影响.本文首先建立了硬开关模式下的短路测试平台对eGaN HEMT的短路过程进行了研究,并利用eGaN HEMT热网络模型,分析了其短路过程中结温变化情况,进一步地探究了不同结温对其短路特性的影响.在此基础上对不同电路参数对eGaN HEMT短路特性的影响进行研究和对比,揭示了影响eGaN HEMT短路特性关键因素,为eGaN HEMT短路保护设计提供了一定的指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦海鸿		99	729	14.0	23.0
2	修强		6	1	1.0	1.0
3	张英		6	17	2.0	4.0
4	彭子和		4	1	1.0	1.0