不同应力增透膜对半导体激光器性能的影响

• 作者: 崔碧峰 李彩芳 王豪杰 程瑾 郝帅
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 薄膜应力 斜率效率
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 77-79,84
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.016

摘要

采用离子辅助电子束蒸发方法,通过改变制备Al2O3增透膜时基底的温度,在边发射半导体激光器前腔面上分别制备了张应力和压应力增透膜.比较了张应力、压应力两种不同增透膜对半导体激光器性能的影响.结果 表明:在10A注入电流下,当半导体激光器的增透膜为张应力状态时,输出功率为8.11W;当半导体激光器的增透膜为压应力状态时,输出功率为7.74W.可见,在半导体激光器前腔面制备张应力增透膜有效地提高了半导体激光器的斜率效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔碧峰	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	51	172	7.0	10.0
2	王豪杰	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	程瑾	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	郝帅	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	李彩芳	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0