SiO2疏松体高温脱羟过程数值模拟(续)

• 作者: 张国君 马千里 欧阳葆华 方海生 王韬
• 来源期刊: 玻璃搪瓷与眼镜
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与实验报告
• 页码范围: 12-15,11
• 页数: 5页
• 分类号: TQ171.4+11
• 语种: 中文
• DOI: 10.13588/j.cnki.g.e.2096-7608.2020.01.003

摘要

3.2脱羟过程主要参数变化 图5所示为熔制过程中SiO2疏松体平均温度(Ta)和平均孔隙率(φa)随时间的变化曲线. 可以看出,疏松体平均温度的升高趋势和图3所示的顶面开温曲线保持一致.