二硫化钼场效应晶体管金属接触的研究进展

• 作者: 吴振华 张亚东 田汉民 贾昆鹏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二硫化钼(MoS2) 场效应晶体管 二维晶体材料 金属-半导体接触 功函数
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 109-118
• 页数: 10页
• 分类号: TN386.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.02.004

摘要

二硫化钼(MoS2)作为一种代表性的半导体二维原子晶体材料,具有优异的物理及电学特性,这使其在光电器件尤其是逻辑器件的应用中具有广泛的前景.总结了MoS2的表面电荷转移掺杂和替位掺杂,并分析了不同掺杂方法的优劣,同时介绍了降低费米能级钉扎效应的两种接触电阻的优化方法.依据肖特基理论改变金属功函数可以调节金属与MoS2的肖特基势垒高度,但由于金属与MoS2之间存在费米能级钉扎效应,接触时会产生较大的肖特基势垒,降低载流子的发射效率,从而增加金属与MoS2之间的接触电阻.最后,指出MoS2器件接触电阻的研究趋势并展望了MoS2的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田汉民	河北工业大学电子信息工程学院电子材料与器件天津重点实验室	24	41	4.0	5.0
2	张亚东	河北工业大学电子信息工程学院电子材料与器件天津重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	贾昆鹏	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室	4	15	1.0	3.0
7	吴振华	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室	5	10	2.0	3.0