基于阵列芯片衬底上聚吡咯的药物电控释放

• 作者: 冀健龙 张文栋 杨丰涛 桑胜波 王柳 王红旺 马超群 黄庆
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 化学
• 关键词: 阵列芯片 聚吡咯(PPy) 交直流电位 电控释放 恒电流
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 103-108
• 页数: 6页
• 分类号: O633.5|Q599
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.02.003

摘要

以吡咯(Py)单体为前驱液,腺苷三磷酸(ATP)为掺杂剂,通过恒电流法在阵列芯片衬底上制备聚吡咯-腺苷三磷酸(PPy-ATP)膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱(EDS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对PPy-ATP膜进行了形貌表征、元素分析和结构分析,结果表明ATP成功掺杂到PPy膜中.利用PPy的掺杂-去掺杂特性,在室温条件下研究了直流和交流电位对ATP的控制释放,结果表明释放5h,直流电位的幅值越大,ATP的释放速率越快,累积释放率越大.对于交流电位,±0.8V和±0.5V作用下总的累积释放率相近,前者的累积释放率较后者快,±0.3V条件下的累积释放率和释放速率都低于±0.5V下的释放结果.总体来说直流和交流电位作用下的累积释放率明显大于自释放的结果.